A molekulasugár-epitaxia: a berendezés és technológiai lehetőségei
Molecular Beam Epitaxy: the Equipment and the Prospects of Technology
Keywords:
nanotechnology, controller, MBE, zero-dimensional nanostructure, outheating, /, nanotechnológia, szabályozó, nulladimenziós struktúra,Abstract
A mechatronic rig used in nanotechnology, the so-called molecular beam epitaxy device will be presented in this paper. First one may read the description of the device and its utilization. Thereafter our developments on the device will be detailed as the robust controler and log utility, the outheating unit, the stepper motor shutter mover unit and the evaluation unit equipped with a camera. Finally the results of ours at the field of MBE grown zero-dimensional nanostructures will be presented.
Kivonat
Dolgozatunkban egy nano-technológiában használatos mechatronikai berendezést, az ún. molekulasugár-epitaxiás készüléket mutatjuk be. Először a berendezés általános leírása és az alkalmazási területe kerül ismertetésre. Majd bemutatjuk a berendezésünket és az azon végrehajtott fejlesztéseinket. Ennek keretén belül tárgyaljuk a robosztus szabályozó és naplózó rendszert, a kifűtő egységet, a léptetőmotoros blendemozgatót és a videó-kamerával ellátott kiértékelő egységet. Végül a molekulasugár-epitaxiával növesztett zéró-dimenziós nano-struktúrákkal kapcsolatos eredményeinkről számolunk be.
References
Nemcsics Á. : A napelem és fejlesztési perspektívái, Akadémiai Kiadó, (2001) Budapest
Nemcsics Á., Ürmös A.: Molekulasugár-epitaxia a villamosmérnök és mechatronikai mérnökképzésben OGÉT (2019) Nagyvárad
Á. Nemcsics, J. Olde, M. Geyer, R. Schnurpfeil, R. Manzke, M. Skibowski: MBE growth of strained InGaAs on GaAs (001); Phys. Stat. Sol. A 155 (1996) 427
Á. Nemcsics: Correlation between the critical layer thickness and the decaytime constant of RHEED oscillations in strained InGaAs/GaAs structures; Thin Solid Films 367 (2000) 302
Á. Nemcsics: Valuing of the critical layer thickness from the deading time constant of RHEED oscillation in the case of InGaAs/GaAs heterojunction; Applied Surface Science 190 (2002) 294
A. Nemcsics,∗, Ch. Heyn, A. Stemmann, A. Schramm, H.Welsch,W. Hansen: The RHEED tracking of the droplet epitaxial grown quantum dot and ring structures; Materials Science and Engineering B 165 (2009) 118
Á. Nemcsics, L. Tóth, L. Dobos, A. Stemmann: Facetting of the self-assembled droplet epitaxial GaAs quantum dot; Microel. Reliab (2011)
Nemcsics Ákos: Nanotechnológiai laboratórium a fıiskolán; BMF Hírlevél X. évf. (2009) febr. 2. szám 2. old.
Tényi V. G., Kucsera P., Sándor T., Csutorás M., Bátori G., Kupás-Deák B., Nagy L., Réti I., Plósz B., Ürmös A., Nemcsics Á.: A molekulasugár-epitaxiás berendezéssel kapcsolatos mechatronikai fejlesztések; OGÉT, Déva (2016)
Nemcsics Ákos, Réti István, Tényi V. Gusztáv, Kucsera Péter, Tóth László, Harmat Péter, Amadou Mieville,Csutorás Márton, Kupás-Deák Béla, Sándor Tamás, Bozsik Judit: Molekulasugár-epitaxiás nanostruktúrák előállításának műszaki feltételei; GÉP, LXI. évf. (2010) 29
Á. Nemcsics: Growth infromation carried by Reflection High-Energy Electron Diffraction; Nato Series vol 190 Springer (2005) pp 221-237
Á. Nemcsics, J. Takács: Modeling of the hysteretic phenomena in RHEED intensity variation versus temperature for GaAs and InAs surfaces; Semiconductors, 2011, Vol. 45, No. 1, pp. 91
Á. Nemcsics, M. Csutorás, G. Tényi, T. Sándor: Real Time RHEED Evaluation with the Help of Image Processing; SISY 2010 • 2010 IEEE 8th Int. Symp. on Intelligent Systems and Informatics • Sept. 10-11, 2010, Szabadka.
Á. Nemcsics: QD prepared by droplet epitaxial method; InTech (2015) open access
Á. Nemcsics: Droplet Epitaxy as a Tool for the QD-Based Circuit Realization; In: Quantum Dots - Theory and Applications. InTech (2018) open access
Nemcsics Á, Tóth L, Dobos L, Heyn C, Stemmann A, Schramm A, Welsch H, Hansen W
Composition of the "GaAs" quantum dot, grown by droplet epitaxy; Superlattices and Microstructures 48 (2010) 351
Á. Nemcsics, A. Stemmann, J. Takács: To the understanding of the formation of the III–V based droplet epitxial nanorings; Microelectronics Reliability 52 (2012) 430
Á. Nemcsics: Some aspects to the understanding of the droplet epitaxial nano-hole formation; J. of CrystalGrowth vol. 477 (2017) pp 1-6
Á. Nemcsics, Ch.Heyn, L.Tóth, L.Dobos, A.Stemmann, W.Hansen: Cross-sectional transmission electron microscopy of GaAs quantum dots fabricated by filling of droplet-etched nanoholes; J. of CrystalGrowth
Á. Nemcsics, B. Pődör, L. Tóth, J. Balázs, L. Dobos, J. Makai, M Csutorás, A. Ürmös: Investigation of MBE grown inverted GaAs quantum dots; Microelectronics Reliability (2015)
A. Ürmös; Z. Farkas; M. Farkas; T. Sándor; L. T Kóczy; Á. Nemcsics: Application of Self-Organizing Mapping for Technological Support of Droplet Epitaxy; Acta Polytechn. Hung. 14 (2017) 207
J. Takács, Á. Nemcsics: QD to NH; Mathematical Modelling of Nano-structure Formations, Scientific Review 4 (2018) 74
Z. Farkas, A. Ürmös and Á. Nemcsics, "Statistical Analysis of Droplet Epitaxal Nano-structure Growth Parameters - as Preliminary for Technological Support," 2020 IEEE 3rd International Conference and Workshop in Óbuda on Electrical and Power Engineering (CANDO-EPE), Budapest, Hungary, 2020, pp. 000085-000090, doi: 10.1109/CANDO-EPE51100.2020.9337778.
